半导体器件及其制作工艺

发明专利无效专利

申请号：
CN96190108.X
IPC分类号：--
申请日期：
1996-02-19
申请人：
罗姆股份有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	半导体器件及其制作工艺
申请号	CN96190108.X	申请日期	1996-02-19
法律状态	权利终止	申报国家	暂无
公开/公告日	1997-04-02	公开/公告号	CN1146826
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	罗姆股份有限公司	申请人地址	日本京都市变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	罗姆股份有限公司	当前权利人	罗姆股份有限公司
发明人	坂本和久
代理机构	中国专利代理（香港）有限公司	代理人	董巍;萧掬昌

摘要

本发明目的是提供一种半导体器件，该器件具有高速开关特性和高介电击穿强度或小漏电流特性，还提供制作这种改进的半导体器件的工艺。该器件包括半导体衬底；位于半导体衬底上的半导体层，该半导体层具有沿半导体衬底的表面形成的pn结，其中粒子束辐照产生的晶格缺陷只形成于所述pn结的垂直方向；在所述层的衬底表面形成的、用于限制粒子束辐照的氮化硅层，形成在所述器件的衬底表面上除pn结区以外的区域。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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