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一种基于氧化和化学机械抛光工艺制备超细线条的方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201010128839.5
  • IPC分类号:H01L21/033
  • 申请日期:
    2010-03-22
  • 申请人:
    北京大学
著录项信息
专利名称一种基于氧化和化学机械抛光工艺制备超细线条的方法
申请号CN201010128839.5申请日期2010-03-22
法律状态暂无申报国家中国
公开/公告日2010-07-28公开/公告号CN101789363A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/033IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;0;3;3查看分类表>
申请人北京大学申请人地址
北京市经济技术开发区文昌大道18号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中芯国际集成电路制造(北京)有限公司,北京大学当前权利人中芯国际集成电路制造(北京)有限公司,北京大学
发明人艾玉杰;许晓燕;黄如;安霞;郝志华;范春晖;浦双双;王阳元
代理机构北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙)代理人贾晓玲
摘要
本发明提供了一种基于氧化和化学机械抛光工艺制备超细线条的方法,属于超大规模集成电路制造技术领域。该方法包括:制备化学机械抛光停止层;淀积氮化硅薄膜;在氮化硅薄膜上淀积多晶硅薄膜;将多晶硅薄膜加工成条状;在条状多晶硅的顶面和两个侧面上生长氧化硅,衬底材料由于氮化硅的保护没有被氧化;再淀积一层多晶硅,并以停止层为准化学机械抛光该多晶硅,在氧化硅的保护下依次干法刻蚀多晶硅、氮化硅和衬底材料,然后腐蚀去掉氧化硅硬掩模,制备出衬底材料的细线条。本发明制备出的超细线条的形状可以接近矩形,且线条左右两侧衬底材料分布情况一致。

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