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用于生产高品质多晶硅的还原循环氢气深冷除杂的方法及装置

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202110874264.X
  • IPC分类号:C01B3/50;C01B3/56
  • 申请日期:
    2021-07-30
  • 申请人:
    天津大学
著录项信息
专利名称用于生产高品质多晶硅的还原循环氢气深冷除杂的方法及装置
申请号CN202110874264.X申请日期2021-07-30
法律状态实质审查申报国家暂无
公开/公告日2021-09-21公开/公告号CN113415784A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C01B3/50IPC分类号C;0;1;B;3;/;5;0;;;C;0;1;B;3;/;5;6查看分类表>
申请人天津大学申请人地址
天津市津南区海河教育园雅观路135号天津大学北洋园校区 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人天津大学当前权利人天津大学
发明人黄国强;黄琪琪;王乃治;张妙磊;张宇
代理机构天津市北洋有限责任专利代理事务所代理人王丽
摘要
本发明涉及用于生产高品质多晶硅的还原循环氢气深冷除杂的方法及装置。硼磷烷‑氯化氢吸收塔塔顶物料经一级气气换热器、二级气气换热器、硼磷烷深冷器三级冷却后,进入二级气气换热分相罐、深冷气气换热分相罐,只深冷氢气,不深冷大量的液体氯硅烷和吸收液;深冷气气换热分相罐气相物料经除硼磷烷吸附柱为一级气气换热器、二级气气换热器和吸收塔进气气冷器提供冷量,后进入活性炭吸附塔;二级气气换热分相罐和深冷气气换热分相罐液相物料为吸收塔进气预冷器、还原尾气液冷器提供冷量,后进入解吸塔;吸收塔塔釜物料经逐级换热后进入解吸塔。本发明深冷除杂技术只深冷氢气不深冷液相,具有新颖性和创新性,且杂质吸收率可达95%以上。

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