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一种评估聚合物基自修复膜自修复能力的方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202010098556.4
  • IPC分类号:G01N21/84;G01N23/04;G01N23/20;G01N23/2005;G01N1/28;G01N1/32;G01B11/30;G01B15/04
  • 申请日期:
    2020-02-18
  • 申请人:
    嘉兴学院
著录项信息
专利名称一种评估聚合物基自修复膜自修复能力的方法
申请号CN202010098556.4申请日期2020-02-18
法律状态公开申报国家中国
公开/公告日2020-07-31公开/公告号CN111474171A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G01N21/84IPC分类号G;0;1;N;2;1;/;8;4;;;G;0;1;N;2;3;/;0;4;;;G;0;1;N;2;3;/;2;0;;;G;0;1;N;2;3;/;2;0;0;5;;;G;0;1;N;1;/;2;8;;;G;0;1;N;1;/;3;2;;;G;0;1;B;1;1;/;3;0;;;G;0;1;B;1;5;/;0;4查看分类表>
申请人嘉兴学院申请人地址
浙江省嘉兴市秀洲区康和路1288号光伏科技创园2号楼 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人嘉兴学院当前权利人嘉兴学院
发明人陈洪旭;李海东;程凤梅;陈超;林祥松
代理机构上海统摄知识产权代理事务所(普通合伙)代理人杜亚
摘要
本发明涉及一种评估聚合物基自修复膜自修复能力的方法,是将聚合物基自修复膜进行制样—刻蚀—自修复—测量过程,当测量结果不合规时,即当裂纹形貌目视存在明显裂纹或者D大于阈值K时,则重新进行制样—刻蚀—自修复—测量的过程,且刻蚀的特定裂纹结构为上一次刻蚀中的自修复能力下一等级对应的结构;当测量结果合规时,即当裂纹形貌目视无明显裂纹且D小于等于阈值K时,则聚合物基自修复膜的自修复能力等级为该次刻蚀中的特定裂纹结构所对应的等级;特定裂纹结构由具有相同间距的裂纹构成,每个裂纹的尺寸用直径和深度或者宽度和深度表示;自修复能力等级分为优、良、中、差四个等级。

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供