一种基于MWCNTs-QDs的纳米荧光仿生传感器及其制备方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201410293007.7
IPC分类号：G01N21/64
申请日期：
2014-06-25
申请人：
东华大学

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著录项信息

专利名称	一种基于MWCNTs-QDs的纳米荧光仿生传感器及其制备方法
申请号	CN201410293007.7	申请日期	2014-06-25
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2014-09-24	公开/公告号	CN104062275A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01N21/64 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01N （除免疫测定法以外包括酶或微生物的测量或试验入C12M，C12Q） G01N21/00 利用光学手段，即利用红外光、可见光；或紫外光来测试或分析材料（G01N 3/00至G01N 19/00优先） G01N21/62 所测试的材料在其中被激发，因之引起材料发光或入射光的波长发生变化的系统〔3〕 G01N21/63 光学激发的〔3〕 G01N21/64 荧光；磷光〔3〕	IPC分类号	G;0;1;N;2;1;/;6;4查看分类表>
申请人	东华大学	申请人地址	上海市松江区松江新城人民北路2999号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	东华大学	当前权利人	东华大学
发明人	朱利民;丁兆强;聂华丽;陶磊
代理机构	上海泰能知识产权代理事务所	代理人	黄志达

摘要

本发明涉及一种基于MWCNTs?QDs的纳米荧光仿生传感器及其制备方法，以MWCNTs?QDs纳米复合材料为载体，BSA为模板分子，制备特异性识别BSA的纳米仿生传感器。制备：制备水溶性CdTe/CdS核壳结构量子点和PEI?MWCNTs；然后将CdTe/CdS量子点负载到PEI?MWCNTs表面得到MWCNTs?QDs；以MWCNTs?QDs为基体，利用sol?gel反应在其表面修饰BSA印迹的分子印迹聚合物。本方法采用表面印迹的方式合成的纳米荧光传感器有效识别位点多，且接近表面，比表面积大，易于选择性识别模板分子。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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