一种改善应力记忆工艺效果的方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201610885707.4
IPC分类号：H01L21/02;H01L21/336;C23C16/44;C23C16/52;C23C16/34
申请日期：
2016-10-10
申请人：
上海华力微电子有限公司

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著录项信息

专利名称	一种改善应力记忆工艺效果的方法
申请号	CN201610885707.4	申请日期	2016-10-10
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2017-02-22	公开/公告号	CN106449362A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/02 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;0;2;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;6;;;C;2;3;C;1;6;/;4;4;;;C;2;3;C;1;6;/;5;2;;;C;2;3;C;1;6;/;3;4查看分类表>
申请人	上海华力微电子有限公司	申请人地址	上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海华力微电子有限公司	当前权利人	上海华力微电子有限公司
发明人	方潇功;康俊龙;成鑫华
代理机构	上海天辰知识产权代理事务所（特殊普通合伙）	代理人	吴世华;陈慧弘

摘要

本发明提供了一种改善应力记忆工艺效果的方法，通过采用原子层原位沉积工艺来在图形化半导体衬底表面形成过渡氮化硅薄膜，然后在过渡氮化硅薄膜上形成应力记忆氮化硅层，充分利用原子层原位沉积技术的表面饱和反应、以及厚度可控和高度稳定的特点，从而制备出具有高纯度和高密度的过渡氮化硅薄膜，即便针对纵宽比高的结构也可实现良好的阶梯覆盖，该过渡氮化硅薄膜不会受到后期热处理的影响而改变应力值，从而避免了现有的应力记忆氮化硅层在热处理之后由于大幅度收缩所造成的裂缝，进而酸通过裂缝孔将侧墙剥落的问题。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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