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一种移位饱和处理方法及其应用

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202011084145.6
  • IPC分类号:G06F5/01;G06F9/30
  • 申请日期:
    2020-10-12
  • 申请人:
    上海芯旺微电子技术有限公司
著录项信息
专利名称一种移位饱和处理方法及其应用
申请号CN202011084145.6申请日期2020-10-12
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2021-01-05公开/公告号CN112181355A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G06F5/01IPC分类号G;0;6;F;5;/;0;1;;;G;0;6;F;9;/;3;0查看分类表>
申请人上海芯旺微电子技术有限公司申请人地址
上海市浦东新区龙东大道3000号张江集电港1幢9楼B区906B室 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人上海芯旺微电子技术有限公司当前权利人上海芯旺微电子技术有限公司
发明人黄鹏;丁晓兵;朱少华;冯潮斌
代理机构上海唯智赢专利代理事务所(普通合伙)代理人刘朵朵
摘要
本发明公开了一种移位饱和处理方法及其应用,步骤为:对待移位数据的每一位和其最高位进行同或运算,筛选出待移位数据中所有与最高位相同的位并将对应位置标记为1,其他位置标记为0,同时,产生移位MASK,产生移位后溢出位的选择信号,将移位溢出对应的位标记为1,其他位置标记为0;使用选择信号选择饱和判断预处理后得到的数据,如MASK为1,则选取饱和判断预处理后得到的数据中的对应结果,反之则强制输出1;检测所得所有结果是否全为1,如是则移位无溢出,反之则移位溢出即需饱和处理。本发明的方法,逻辑清晰,步序简单,实现了移位与饱和判断的同步进行,提高了移位运行效率,极具应用前景。

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