一种纳米压印模板的制备方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201110316409.0
IPC分类号：G03F7/00
申请日期：
2011-10-18
申请人：
华中科技大学

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著录项信息

专利名称	一种纳米压印模板的制备方法
申请号	CN201110316409.0	申请日期	2011-10-18
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2012-05-02	公开/公告号	CN102436140A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G03F7/00 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术〔4〕 G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备（照相排版装置入B41B；为摄影用的感光材料或处理入G03C；电记录、感光层或处理入G03G） G03F7/00 图纹面，例如，印刷表面的照相制版如光刻工艺；图纹面照相制版用的材料，如：含光致抗蚀剂的材料；图纹面照相制版的专用设备（用于特殊工艺的光致抗蚀剂结构见相关的位置，例如，B44C，H01L，例如，H01L 21/00，H05K）〔3，5〕	IPC分类号	G;0;3;F;7;/;0;0查看分类表>
申请人	华中科技大学	申请人地址	湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	华中科技大学	当前权利人	华中科技大学
发明人	孙堂友;徐智谋;刘文;徐晓丽;李程程;赵文宁;罗敏
代理机构	华中科技大学专利中心	代理人	李佑宏

摘要

本发明公开了一种纳米压印模板的制备方法，包括如下步骤：(1)在多孔阳极氧化铝模板(PAT)表面旋涂缓冲层；(2)在所述缓冲层上贴布粘连层；(3)在粘连层上粘附硬质衬底；(4)压印；(5)去除Al基底；(6)进行两步干法刻蚀。本发明以多孔氧化铝模板作为初始模板，所制得的四层结构纳米压印模板具有自适应功能，能够克服常规纳米压印中表面颗粒和局部不平整带来的影响，真正实现大面积高精度图形转移的目的，同时，结构和制备工艺上的特殊性，使得压印后能够方便完整的将PAT表面多孔层剥离到衬底表面，进而实现孔状和柱状图形复制的功能，所用原材料廉价易得，制作工艺简单便捷，满足大规模工业生产的需求。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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该专利没有被任何外部专利所引用！

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