一种发光二极管芯片的制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201710388630.4
IPC分类号：H01L33/42;H01L33/00
申请日期：
2017-05-27
申请人：
华灿光电（浙江）有限公司

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著录项信息

专利名称	一种发光二极管芯片的制备方法
申请号	CN201710388630.4	申请日期	2017-05-27
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2017-11-07	公开/公告号	CN107331749A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L33/42 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L33/00 至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件（H01L 51/00优先；由在一个公共衬底中或其上形成有多个半导体组件并包括具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，专门适用于光发射的器件入H01L 27/15；半导体激光器入H01S 5/00）〔2，8，2010.01〕 H01L33/36 以电极为特征的〔2010.01〕 H01L33/40 相应的材料〔2010.01〕 H01L33/42 透明材料〔2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;3;/;4;2;;;H;0;1;L;3;3;/;0;0查看分类表>
申请人	华灿光电（浙江）有限公司	申请人地址	浙江省金华市义乌市苏溪镇徐丰村（浙江四达工具有限公司内）变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	华灿光电（浙江）有限公司	当前权利人	华灿光电（浙江）有限公司
发明人	高艳龙;秦双娇;马磊;尹灵峰;王江波
代理机构	北京三高永信知识产权代理有限责任公司	代理人	徐立

摘要

本发明公开了一种发光二极管芯片的制备方法，属于半导体技术领域。包括：在衬底上依次形成N型半导体层、有源层、P型半导体层和透明导电层；铺设第一层光刻胶，并对第一层光刻胶进行曝光和显影，形成第一图形的光刻胶；利用第一图形的光刻胶形成凹槽；去除第一图形的光刻胶；形成钝化层；铺设第二层光刻胶，并对第二层光刻胶进行曝光和第一次显影，形成第二图形的光刻胶，第二层光刻胶为负性光刻胶；利用第二图形的光刻胶形成第一通孔和第二通孔；对第二层光刻胶进行第二次显影，形成第三图形的光刻胶；利用第三图形的光刻胶增大第一通孔的容积；铺设电极材料；去除第二层光刻胶，形成设置P型电极和N型电极。本发明可提高发光效率。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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