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电子装置及其制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201711077755.1
IPC分类号：H01L43/02;H01L43/08;H01L43/10;G11C11/16
申请日期：
2017-11-06
申请人：
爱思开海力士有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	电子装置及其制造方法
申请号	CN201711077755.1	申请日期	2017-11-06
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2018-07-27	公开/公告号	CN108336220A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L43/02 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L43/00 应用电—磁或者类似磁效应的器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备（由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L 27/00）〔2〕 H01L43/02 零部件〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;4;3;/;0;2;;;H;0;1;L;4;3;/;0;8;;;H;0;1;L;4;3;/;1;0;;;G;1;1;C;1;1;/;1;6查看分类表>
申请人	爱思开海力士有限公司	申请人地址	韩国京畿道变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	爱思开海力士有限公司	当前权利人	爱思开海力士有限公司
发明人	金国天;郑求烈;金亮坤;李哉衡;林钟久
代理机构	北京弘权知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	郭放;许伟群

摘要

一种包括半导体存储器的电子装置。半导体存储器可以包括：磁隧道结MTJ结构，其包括具有可变磁化方向的自由层、具有固定磁化方向的钉扎层以及介于自由层和钉扎层之间的隧道阻挡层；以及底层，其形成在MTJ结构之下，其中底层可以包括金属和金属氧化物。

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