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一种特殊电极结构的LN晶体调Q开关

实用新型专利有效专利
  • 申请号:
    CN202020873742.6
  • IPC分类号:H01S3/115;H01S3/02;H01S3/042
  • 申请日期:
    2020-05-22
  • 申请人:
    济南智和弘盛光电科技有限公司
著录项信息
专利名称一种特殊电极结构的LN晶体调Q开关
申请号CN202020873742.6申请日期2020-05-22
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日公开/公告号
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01S3/115IPC分类号H;0;1;S;3;/;1;1;5;;;H;0;1;S;3;/;0;2;;;H;0;1;S;3;/;0;4;2查看分类表>
申请人济南智和弘盛光电科技有限公司申请人地址
山东省济南市高新区天辰路677号2号楼1层东北厅 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人济南智和弘盛光电科技有限公司当前权利人济南智和弘盛光电科技有限公司
发明人雷瑞瑞;刘泽东;刘辉;赵全勇
代理机构暂无代理人暂无
摘要
本实用新型公开了一种特殊电极结构的LN晶体调Q开关,包括铜块,铜块的数量为两个,铜块的一侧布设有粘贴层,两个所述铜块通过粘贴层连接有LN晶体。所述特殊电极结构的LN晶体调Q开关设计简单,实现了在不使晶体受外力的情况下的电连接,通过设计了一个特殊的铜块,可以从铜块上利用高温锡焊的方法引出绝缘导线,在晶体粘在铜块上之前焊接绝缘导线,这样就不会有高温传导到LN晶体上。焊接出的绝缘导线可以直接作为正负极,也可以焊接在其他电连接的接口上,不用担心对晶体造成损伤;使用导电银胶将LN晶体粘接到铜块一侧,导电银胶同时具有导电和固定的作用,且不会对LN施加外力,不会破坏LN晶体内部光学均匀性。

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