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蛾眼结构深紫外发光二极管及制备方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201811549557.5
  • IPC分类号:H01L33/22
  • 申请日期:
    2018-12-18
  • 申请人:
    华中科技大学鄂州工业技术研究院;华中科技大学
著录项信息
专利名称蛾眼结构深紫外发光二极管及制备方法
申请号CN201811549557.5申请日期2018-12-18
法律状态驳回申报国家中国
公开/公告日2019-04-09公开/公告号CN109599469A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L33/22IPC分类号H;0;1;L;3;3;/;2;2查看分类表>
申请人华中科技大学鄂州工业技术研究院;华中科技大学申请人地址
湖北省鄂州市梧桐湖新区凤凰大道特一号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人华中科技大学鄂州工业技术研究院,华中科技大学当前权利人华中科技大学鄂州工业技术研究院,华中科技大学
发明人张爽;王帅;戴江南;陈长清
代理机构武汉智嘉联合知识产权代理事务所(普通合伙)代理人黄君军
摘要
本发明公开了一种蛾眼结构深紫外发光二极管及制备方法,所述蛾眼结构深紫外发光二极管包括外延层和蓝宝石衬底,所述蓝宝石衬底具有第一表面和第二表面;所述第一表面上设置有外延层,所述第二表面上设置有周期性的蓝宝石蛾眼结构,且所述蓝宝石蛾眼结构的周期为3~5μm,高度为1~3μm,鼓包底宽为2~3μm。所述蛾眼结构深紫外发光二极管使光提取效率大大增加,有效提高了深紫外发光二极管的性能,且解决了制备过程中存在损伤的问题。

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