集成热敏电阻的金刚石热沉

发明专利无效专利

申请号：
CN201010034103.1
IPC分类号：H01L23/34;H01L23/48;H01C7/02
申请日期：
2010-01-13
申请人：
中国科学院半导体研究所

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著录项信息

专利名称	集成热敏电阻的金刚石热沉
申请号	CN201010034103.1	申请日期	2010-01-13
法律状态	驳回	申报国家	中国
公开/公告日	2010-06-30	公开/公告号	CN101764107A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/34 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/34 冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置〔2，5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;3;4;;;H;0;1;L;2;3;/;4;8;;;H;0;1;C;7;/;0;2查看分类表>
申请人	中国科学院半导体研究所	申请人地址	北京市海淀区清华东路甲35号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院半导体研究所	当前权利人	中国科学院半导体研究所
发明人	张全德;刘峰奇;王利军;张伟;刘万峰;陆全勇;刘俊岐;李路;王占国
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司	代理人	汤保平

摘要

一种集成热敏电阻的金刚石热沉，包括：一衬底；一第一Ti薄膜，该第一Ti薄膜制作在衬底上的一侧，该第一Ti薄膜为一弯折条形结构；一Au薄膜，该Au薄膜制作在第一Ti薄膜上，形状与第一Ti薄膜相同，该Au薄膜分为第一热敏电阻引线区、第二热敏电阻引线区和热敏电阻区；一第二Ti薄膜，该第二Ti薄膜制作在衬底上的另一侧；一器件烧结区，该器件烧结区制作在第二Ti薄膜上。解决了以往热敏元件与器件集成制作过程中设计和工艺复杂、成本昂贵等问题。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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