高功率电磁脉冲作用下MESFET电热一体化分析方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201510184545.7
IPC分类号：G06F30/23
申请日期：
2015-04-17
申请人：
南京理工大学

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专利名称	高功率电磁脉冲作用下MESFET电热一体化分析方法
申请号	CN201510184545.7	申请日期	2015-04-17
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2016-11-23	公开/公告号	CN106156388A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G06F30/23	IPC分类号	G;0;6;F;3;0;/;2;3查看分类表>
申请人	南京理工大学	申请人地址	江苏省南京市孝陵卫200号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	南京理工大学	当前权利人	南京理工大学
发明人	丁大志;陈如山;樊振宏;包华广;盛亦军
代理机构	南京理工大学专利中心	代理人	朱显国

摘要

本发明公开了一种高功率电磁脉冲作用下MESFET电热一体化分析方法。该方法以电子准费米势、空穴准费米势和电势为变量，采用时域谱元法求解漂移‑扩散方程组，求出金属‑半导体场效应管（MESFET）在高功率脉冲作用下瞬时的准费米势和电势，进而得到当前时刻的电场强度和电流密度。在焦耳热源作用下，考虑周围环境温度和热对流的影响，可以得到当前时刻各处的温度分布。根据温度变化更新载流子迁移率、产生复合率重新计算电场分布，如此反复循环，直到漂移扩散方程组满足收敛精度，此时的电场分布和热分布就是应求的当前时刻MESFET内部的电热分布。该方法基于MESFET物理模型，可以清楚的得到在高功率电磁脉冲的作用下，器件内部电场和温度等随时间变化的分布情况。

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