一种QLED器件及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201710724540.8
IPC分类号：H01L51/50;H01L51/56
申请日期：
2017-08-22
申请人：
TCL集团股份有限公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种QLED器件及其制备方法
申请号	CN201710724540.8	申请日期	2017-08-22
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2019-03-05	公开/公告号	CN109427978A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L51/50 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L51/20 （转入H01L 51/05，H01L 51/42，H01L 51/50） H01L51/50 专门适用于光发射的，如有机发光二极管（OLED）或聚合物发光器件（PLED）（有机半导体激光器入 H01S 5/36）〔8〕	IPC分类号	H;0;1;L;5;1;/;5;0;;;H;0;1;L;5;1;/;5;6查看分类表>
申请人	TCL集团股份有限公司	申请人地址	广东省惠州市仲恺高新区惠风三路17号TCL科技大厦变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	TCL科技集团股份有限公司	当前权利人	TCL科技集团股份有限公司
发明人	刘佳;曹蔚然;梁柱荣
代理机构	深圳市君胜知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	暂无

摘要

本发明公开一种QLED器件及其制备方法，包括石墨烯阴极、纳米金属中空柱、电子功能层、量子点发光层和阳极；所述纳米金属中空柱设置于所述石墨烯阴极上；所述电子功能层设置于所述纳米金属中空柱内和所述纳米金属中空柱间隙中；所述量子点发光层设置于所述纳米金属中空柱上和电子功能层上；所述阳极设置于所述量子点发光层上。本发明采用上述结构来增加电子注入，平衡载流子，增加QLED器件效率。一方面，G和金属在氧气作用下，氧化形成O‑‑X+偶极子，有助于电子注入。另一方面，电子功能层与纳米结构接触，可以增加接触面积，增加注入量。同时，金属层的存在可以阻挡空穴，从而有效的平衡了电子和空穴，增加了效率。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供