加载中...
首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

晶体管装置及形成晶体管装置的方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202110529061.7
  • IPC分类号:H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336
  • 申请日期:
    2021-05-14
  • 申请人:
    新加坡商格罗方德半导体私人有限公司
著录项信息
专利名称晶体管装置及形成晶体管装置的方法
申请号CN202110529061.7申请日期2021-05-14
法律状态公开申报国家中国
公开/公告日2021-11-19公开/公告号CN113675272A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/78
?
IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;7;8;;;H;0;1;L;2;9;/;0;6;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;6查看分类表>
申请人新加坡商格罗方德半导体私人有限公司申请人地址
新加坡,新加坡城 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人新加坡商格罗方德半导体私人有限公司当前权利人新加坡商格罗方德半导体私人有限公司
发明人B·W·文;J·M·具
代理机构北京戈程知识产权代理有限公司代理人程伟;王锦阳
摘要
本申请涉及晶体管装置及形成晶体管装置的方法。可提供一种LDMOS晶体管装置,包括其中设有导电区的衬底,设于该衬底内的第一隔离结构,设于该导电区内的源区与漏区,设于该源区与该漏区之间的第二隔离(局部隔离)结构,以及至少部分设于该第二隔离结构内的栅极结构。该第一隔离结构可沿该导电区的边界的至少一部分延伸,且该第二隔离结构的深度可小于该第一隔离结构的深度。在使用期间,可沿设于该第二隔离(局部隔离)结构内的该栅极结构的侧面的至少一部分形成电子流的沟道。

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供