基于低相干技术的低偏振半导体激光器及其制备方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201310164422.8
IPC分类号：H01S5/042;H01S5/06
申请日期：
2013-05-07
申请人：
维林光电（苏州）有限公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	基于低相干技术的低偏振半导体激光器及其制备方法
申请号	CN201310164422.8	申请日期	2013-05-07
法律状态	驳回	申报国家	中国
公开/公告日	2014-11-12	公开/公告号	CN104143761A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01S5/042 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01S 利用受激发射的器件 H01S5/00 半导体激光器〔7〕 H01S5/04 激励的方法或装置，例如泵激励（H01S 5/06优先）〔7〕 H01S5/042 电激励〔7〕	IPC分类号	H;0;1;S;5;/;0;4;2;;;H;0;1;S;5;/;0;6查看分类表>
申请人	维林光电（苏州）有限公司	申请人地址	江苏省苏州市工业园区星湖街218号生物纳米园A2楼226室变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	维林光电（苏州）有限公司	当前权利人	维林光电（苏州）有限公司
发明人	朱金通;吕少平;罗宁一
代理机构	南京苏科专利代理有限责任公司	代理人	陆明耀;姚姣阳

摘要

本发明提供一种基于低相干技术的低偏振半导体激光器的制备方法，首先用射频范围的频率产生交变电流AC；再将将一直流电流DC与所述交变电流AC叠加后经半导体激光器产生低简并度光子，该低简并度光子经半导体激光器内谐振腔光放大形成低相干性的宽带激光束；然后将部分所述宽带激光束导入光探测器，产生电子反馈信号，以保持所述半导体激光器处于瞬态或非稳态模模式；最后将剩余所述宽带激光束退偏后形成低相干性的、低偏振的激光。本发明还提供由上述方法制备的低偏振半导体激光器。通过本发明低偏振半导体激光器产生的激光具有高强度，低相干，低偏振的特性。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供