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一种超厚顶层金属的金属硬掩模双大马士革工艺

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201110123665.8
  • IPC分类号:H01L21/768
  • 申请日期:
    2011-05-13
  • 申请人:
    上海华力微电子有限公司
著录项信息
专利名称一种超厚顶层金属的金属硬掩模双大马士革工艺
申请号CN201110123665.8申请日期2011-05-13
法律状态驳回申报国家中国
公开/公告日2012-04-11公开/公告号CN102412188A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/768IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;7;6;8查看分类表>
申请人上海华力微电子有限公司申请人地址
上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人上海华力微电子有限公司当前权利人上海华力微电子有限公司
发明人李磊;胡友存;姬峰;张亮;陈玉文
代理机构上海新天专利代理有限公司代理人王敏杰
摘要
本发明涉及一种半导体制备技术领域,更确切的说,本发明涉及一种超厚顶层金属的金属硬掩模双大马士革工艺。首先在一晶圆基体上淀积通孔介电阻挡层、通孔介电层和通孔金属硬掩模;随后在所述的金属硬掩模上光刻刻蚀打开金属硬掩模形成通孔开口和沟槽阻挡层;再在沟槽阻挡层上淀积沟槽介电层和沟槽金属硬掩模;并且光刻刻蚀沟槽金属硬掩模形成沟槽开口;刻蚀介电层形成沟槽和通孔;于前一步所得的通孔和沟槽上淀积金属阻挡层和铜籽晶层,并电镀铜填满所述的通孔和沟槽;最后进行化学机械研磨平坦化去除多余金属和沟槽金属硬掩模。本发明解决了已有方法通孔刻蚀高深宽比和通孔尺寸控制问题,可降低生产成本,缩短生产周期。

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