一种C/X双频段微带天线

发明专利无效专利

申请号：
CN201010264750.1
IPC分类号：H01Q1/38;H01Q1/48;H01Q5/01;H01Q13/08;H01Q21/00
申请日期：
2010-08-27
申请人：
电子科技大学

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著录项信息

专利名称	一种C/X双频段微带天线
申请号	CN201010264750.1	申请日期	2010-08-27
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2010-12-29	公开/公告号	CN101931122A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01Q1/38 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01Q 天线（微波加热用辐射器或天线入H05B6/72） H01Q1/00 天线零部件或与天线结合的装置（改变方向图形的指向性的装置入H01Q3/00）〔1，2006.01〕 H01Q1/36 辐射单元的结构形式，例如锥形、螺旋形、伞形（H01Q 1/08，H01Q 1/14优先） H01Q1/38 在绝缘支架上由导电层构成的	IPC分类号	H;0;1;Q;1;/;3;8;;;H;0;1;Q;1;/;4;8;;;H;0;1;Q;5;/;0;1;;;H;0;1;Q;1;3;/;0;8;;;H;0;1;Q;2;1;/;0;0查看分类表>
申请人	电子科技大学	申请人地址	四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	电子科技大学	当前权利人	电子科技大学
发明人	刘晓明;魏景辉
代理机构	电子科技大学专利中心	代理人	葛启函

摘要

一种C/X双频段微带天线，属于天线技术领域。本发明采用双层高阻硅介质结构，两个频段共用一个矩形辐射贴片；上层高阻硅介质承载矩形贴片和X频段馈线，并且在上层高阻硅刻蚀出空气腔，以降低其复合介电常数，下层高阻硅介质承载C频段馈线。X频段采用微带共面馈电，C频段采用缝隙耦合馈电。本发明提供的C/X双频段微带天线或C/X双频段二元微带天线具有以下四个优点1、单片双模，结构简单，设计灵活；2、多频化；3、小型化、轻型化；4、集成化。本发明可广泛应用于卫星通信、控制、制导、雷达等空中点对点的通信工具中。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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