一种小型化多层芯片天线

实用新型专利无效专利

申请号：
CN201220215164.2
IPC分类号：H01Q1/38;H01Q9/04;H01Q1/22
申请日期：
2012-05-14
申请人：
成都成电电子信息技术工程有限公司

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著录项信息

专利名称	一种小型化多层芯片天线
申请号	CN201220215164.2	申请日期	2012-05-14
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01Q1/38 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01Q 天线（微波加热用辐射器或天线入H05B6/72） H01Q1/00 天线零部件或与天线结合的装置（改变方向图形的指向性的装置入H01Q3/00）〔1，2006.01〕 H01Q1/36 辐射单元的结构形式，例如锥形、螺旋形、伞形（H01Q 1/08，H01Q 1/14优先） H01Q1/38 在绝缘支架上由导电层构成的	IPC分类号	H;0;1;Q;1;/;3;8;;;H;0;1;Q;9;/;0;4;;;H;0;1;Q;1;/;2;2查看分类表>
申请人	成都成电电子信息技术工程有限公司	申请人地址	四川省成都市高新区（西区）西区大道199号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	成都成电电子信息技术工程有限公司	当前权利人	成都成电电子信息技术工程有限公司
发明人	郑轶;徐自强;金龙;杨国庆;宋世明
代理机构	电子科技大学专利中心	代理人	周永宏

摘要

本实用新型涉及一种小型化多层芯片天线，包括介质体和嵌入介质体中的第一焊盘、第二焊盘、第一金属通孔、第二金属通孔、第一曲折金属导线、第二曲折金属导线、第三金属通孔和耦合金属，所述第一焊盘和第二焊盘分别位于介质体底部的两端，第一曲折金属导线和第二曲折金属导线平行并分别位于第一金属通孔、第二金属通孔和第三金属通孔两端并与之连接，第一曲折金属导线和第二曲折金属导线构成电容结构。本实用新型的有益效果是：采用多层金属层结构在很小的体积内使天线实现自谐振和耦合谐振，且通过耦合谐振调谐工作频率，实现电小尺寸，从而使该芯片天线小型化。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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