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MOS器件及其制造方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201010603672.3
  • IPC分类号:--
  • 申请日期:
    2010-12-24
  • 申请人:
    无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司
著录项信息
专利名称MOS器件及其制造方法
申请号CN201010603672.3申请日期2010-12-24
法律状态暂无申报国家中国
公开/公告日2012-07-11公开/公告号CN102569389A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号暂无IPC分类号暂无查看分类表>
申请人无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司申请人地址
江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人无锡华润上华科技有限公司当前权利人无锡华润上华科技有限公司
发明人金炎
代理机构北京集佳知识产权代理有限公司代理人常亮;李辰
摘要
本发明实施例公开了一种MOS器件及其制造方法,所述器件包括:阱区位与阱区表面上的栅氧化膜、位于栅氧化膜表面上的栅极、分别位于栅极两侧的重掺杂区,所述重掺杂区靠近栅极的一侧分别包括高低压栅氧交界区;所述高低压栅氧交界区位于所述栅极下方。本发明实施例所提供的技术方案中,能够有效的减少高低压栅氧交界区对器件空间的占用,进而可以减小器件的间距,实现在相同的晶片面积中制造更多的器件,提高器件的生产效率和集成度,降低器件的生产成本。

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