单晶硅高过载差压传感器

实用新型专利有效专利

申请号：
CN201520121968.X
IPC分类号：G01L13/00
申请日期：
2015-03-02
申请人：
上海立格仪表有限公司

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法律信息

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著录项信息

专利名称	单晶硅高过载差压传感器
申请号	CN201520121968.X	申请日期	2015-03-02
法律状态	授权	申报国家	暂无
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01L13/00 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01L 测量力、应力、转矩、功、机械功率、机械效率或流体压力（称量入G01G）〔4〕 G01L13/00 测量两个或更多个流体压力差值的设备或仪表	IPC分类号	G;0;1;L;1;3;/;0;0查看分类表>
申请人	上海立格仪表有限公司	申请人地址	上海市嘉定区菊园新区六里中心路128弄2号A区变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海立格仪表有限公司	当前权利人	上海立格仪表有限公司
发明人	黄龙圣;陈文弦;桂永波;冷飞国
代理机构	上海胜康律师事务所	代理人	张坚

摘要

本实用新型公开了一种单晶硅高过载差压传感器，包括基体、设于基体外部的L端感应膜片和H端感应膜片以及设于基体内部的单晶硅片和超过额定压力会变形的中心膜片；所述基体内具有L端油路腔、H端油路腔，所述L端油路腔和所述H端油路腔之间通过所述中心膜片进行分割，所述L端油路腔和所述H端油路腔的容积相同且内部均填充有真空硅油；所述L端油路腔一端连通到所述L端感应膜片的内侧面，另一端连通到单晶硅片的一侧感应面，所述H端油路腔一端连通所述H端感应膜片的内侧面，另一端连通到单晶硅片的另一侧感应面。本实用新型具有传送稳定、响应迅速、单端高过载保护的优点。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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