存储器装置、栅极堆叠及其制造方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201611080298.7
IPC分类号：H01L27/11521;H01L27/11551;H01L27/11568;H01L27/11578
申请日期：
2016-11-30
申请人：
台湾积体电路制造股份有限公司

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著录项信息

专利名称	存储器装置、栅极堆叠及其制造方法
申请号	CN201611080298.7	申请日期	2016-11-30
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2017-08-18	公开/公告号	CN107068685A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L27/11521 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L27/00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件（其零部件入H01L 23/00，H01L 29/00至H01L 51/00；由多个单个固态器件组成的组装件入H01L 25/00）〔2，8〕 H01L27/02 包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的〔2〕 H01L27/04 其衬底为半导体的〔2〕 H01L27/10 在重复结构中包括有多个独立组件的〔2〕 H01L27/105 包含场效应组件的〔5〕 H01L27/112 只读存储器结构的〔5〕 H01L27/115 电动编程只读存储器；其多步骤制造方法〔5，2006.01，2017.01〕 H01L27/11517 具有浮栅的〔2017.01〕　 H01L27/11521 以存储器核心区为特征的（三维布置H01L 27/11551）〔2017.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;7;/;1;1;5;2;1;;;H;0;1;L;2;7;/;1;1;5;5;1;;;H;0;1;L;2;7;/;1;1;5;6;8;;;H;0;1;L;2;7;/;1;1;5;7;8查看分类表>
申请人	台湾积体电路制造股份有限公司	申请人地址	中国台湾新竹市新竹科学工业园力行六路8号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	台湾积体电路制造股份有限公司	当前权利人	台湾积体电路制造股份有限公司
发明人	卢皓彦;柯钧耀;廖均恒;徐英杰
代理机构	北京律盟知识产权代理有限责任公司	代理人	路勇

摘要

本发明实施例揭示一种存储器装置、栅极堆叠及其制造方法。所述存储器装置包含：衬底，其包含源极区域及漏极区域；以及栅极堆叠，其形成于所述衬底的表面上方，其中所述栅极堆叠包含：隧穿层；第一层；第二层；第三层；以及阻挡层；其中所述隧穿层及所述阻挡层中的每一者具有高于所述第一、所述第二及所述第三层的氧比例；在所述第一、所述第二及所述第三层中，所述第一层具有最高的硅比例；在所述第一、所述第二及所述第三层中，所述第二层具有最高的氧比例；以及在所述第一、所述第二及所述第三层中，所述第一层具有最高的氮比例。还揭示一种相关联的栅极堆叠及制造方法。

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