烤烟半膜覆盖栽培方法

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烤烟半膜覆盖栽培方法\n技术领域\n[0001] 本发明涉及烤烟大田半膜覆盖栽培方法，属于作物覆盖栽培技术领域。\n背景技术\n[0002] 垄作是作物栽培中一种较为普遍的方式，在烤烟生产中广泛使用。它对增加土层厚度，保墒防旱，通风防病，增加土体表面积，扩大受光面，提高地温，进而促进作物根系发育有积极作用。\n[0003] 在我国贵州高原烟区，土层和耕层薄，土壤肥力低，保肥保水能力差。虽然全省年均降雨量在1000mm以上，理论上完全能够满足烤烟生产的需要，但是受季节性干旱、降雨分布不均匀，过度降雨地表径流损失等影响，在烤烟移栽时常常受干旱影响推迟移栽时间；\n烤烟旺长期常出现旱灾和涝灾，成熟期又受伏旱胁迫，限制了本区烤烟产量稳定与烟叶质量提升。\n[0004] 该区受高原气候的影响，烤烟生长季节气温较低，地膜使用极为普遍，导致“白色污染”日趋严重。同时现有地膜种植的常规模式为全膜覆盖，作物栽种在地膜全覆盖区域，为达到较好的保温效果，作物的根系均被包覆在地膜下方。\n发明内容\n[0005] 本发明要解决的技术问题是提供一种优化烤烟生长环境，方便地膜回收，减少“白色污染”的烤烟半膜覆盖栽培方法，可以克服现有技术的不足。\n[0006] 本发明的技术方案：烤烟半膜覆盖栽培方法是在地垄的顶部覆盖地膜，然后在地垄上地膜边沿的内侧或外侧开种植孔进行烟苗栽培。\n[0007] 所述的种植孔为井窖式移栽孔。\n[0008] 地膜的宽度90-100cm，厚度0.008cm。\n[0009] 在地垄上地膜的边沿处开设施肥沟，在施肥沟内施底肥，后在其施肥沟上盖土压紧地膜边沿。\n[0010] 在烤烟采收结束后，揭开地膜，进行回收。\n[0011] 施肥沟的宽度为15-20cm、深度为15-20cm。\n[0012] 种植孔位于地垄上地膜边沿的内侧或外侧，种植孔的孔口直径8cm，种植孔孔口圆心到膜边沿的距离为5cm。\n[0013] 垄底宽度为210cm，土烟垄高20±3cm，田烟垄高25±3cm。\n[0014] 与现有技术比较，本发明将地膜覆盖于地垄的顶部，烟苗移栽于地垄上地膜边沿的内侧或外侧，这样本发明的优点是：（1）烤烟实施一垄双行，实现了宽窄行移栽，利于烤烟后期田间通风透光，提高烟叶品质，同时有利于农事操作。（2）烤烟中后期生长过程中，根系处于膜内和膜外两个部位，综合了干旱地膜保湿、雨涝排水的特点，利于烤烟正常生长。\n（3）地膜边缘与底肥相连，烟株根系与地膜、底肥靠近而接触，有利于降雨顺膜流入根系周围，溶解了肥料，滋润了烟株根系，提高了肥料利用率、促进了根系发育与烤烟生长。（4）因地膜边沿与烟株茎基部相邻，且地膜较厚，站在垄上揭膜，保证地膜的完整性，提高了地膜回收效率，有效降低“白色污染”。（5）半膜覆盖减少了地膜用量，减少种植投入。（6）打破了现有地膜种植的惯有思维。\n附图说明\n[0015] 图1为本发明的结构示意图；\n[0016] 图2为本发明的另一种结构示意图。\n具体实施方式\n[0017] 实施例1：如图1所示，本发明的具体实施步骤为\n[0018] （1）选地：选择土层深度在30cm以上，地势平缓的烟地；\n[0019] （2）整地：起垄前深耕，耕层深度在15cm以上，耕毕后耙均，清除烟地杂物；\n[0020] （3）起垄：按垄底（A）210cm开厢起梯形宽垄，土烟垄高（C）20±3cm，田烟垄高（C）\n25±3cm，垄面略呈弧形，保证不集雨；\n[0021] （4）施基肥：在地垄1的肩部，距地垄中心线50cm处开深15-20cm施肥沟2，按常规烤烟条施底肥用量；\n[0022] （5） 覆膜：用宽度100cm，厚度0.008cm的地膜3覆盖于垄面中心位置，膜边沿落入条施基肥的施肥沟2上，在施肥沟2上覆土且将地膜3的边沿盖实压紧；\n[0023] （6） 栽烟：在距离垄中心线45cm的地垄上打井窖式移栽孔4，井窖式移栽孔4的孔口直径8cm，按发明专利名称为“烤烟地膜井窖式小苗移栽方法”专利申请号 \n201110203197.5”栽植烟苗，株距按常规烤烟生产执行；\n[0024] （7）揭膜：在烤烟采收结束时，揭开地膜3，保持地膜完整性，便于回收再利用；\n[0025] （8） 其它：其它管理按常规烤烟种植方式管理。\n[0026] 实施例2：如图2所示，本发明的具体实施步骤为\n[0027] （1） 选地：选择土层深度在30cm以上，地势平缓的烟地；\n[0028] （2） 整地：起垄前深耕，耕层深度在15cm以上，耕毕后耙均，清除烟地杂物；\n[0029] （3）起垄：按垄底（A）210cm开厢起梯形宽垄，土烟垄高（C）20±3cm，田烟垄高（C）\n25±3cm，垄面略呈弧形，保证不集雨；\n[0030] （4）施基肥：在地垄1的肩部，距地垄中心线50cm处开深15-20cm施肥沟2，按常规烤烟条施底肥用量；\n[0031] （5）覆膜：用宽度100cm，厚度0.008cm的地膜3覆盖于垄面中心位置，膜边沿落入条施基肥的施肥沟2上，在施肥沟2上覆土且将地膜3的边沿盖实压紧；\n[0032] （6）栽烟：在距离垄中心线50cm的地垄上打井窖式移栽孔4，井窖式移栽孔4的孔口直径8cm，按发明专利名称为“烤烟地膜井窖式小苗移栽方法”专利申请号 \n201110203197.5”栽植烟苗，株距按常规烤烟生产执行；\n[0033] （7） 揭膜：在烤烟采收结束时，揭开地膜3，保持地膜完整性，便于回收再利用；\n[0034] （8） 其它：其它管理按常规烤烟种植方式管理。\n[0035] 实施例3：如图2所示，本发明的具体实施步骤为\n[0036] （1）选地：选择土层深度在30cm以上，地势平缓的烟地；\n[0037] （2）整地：起垄前深耕，耕层深度在15cm以上，耕毕后耙均，清除烟地杂物；\n[0038] （3）起垄：按垄底（A）210cm开厢起梯形宽垄，土烟垄高（C）20±3cm，田烟垄高（C）\n25±3cm，垄面略呈弧形，保证不集雨；\n[0039] （4）施基肥：在地垄1的肩部，距地垄中心线45cm处开深15-20cm施肥沟2，按常规烤烟条施底肥用量；\n[0040] （5）覆膜：用宽度90cm，厚度0.008cm的地膜3覆盖于垄面中心位置，膜边沿落入条施基肥的施肥沟2上，在施肥沟2上覆土且将地膜3的边沿盖实压紧；\n[0041] （6）栽烟：在距离垄中心线45cm的地垄上打井窖式移栽孔4，井窖式移栽孔4的孔口直径8cm，按发明专利名称为“烤烟地膜井窖式小苗移栽方法”专利申请号 \n201110203197.5”栽植烟苗，株距按常规烤烟生产执行；\n[0042] （7）揭膜：在烤烟采收结束时，揭开地膜3，保持地膜完整性，便于来年再用；\n[0043] （8） 其它：其它管理按常规烤烟种植方式管理。\n[0044] 实施例4：如图2所示，本发明的具体实施步骤为\n[0045] （1）选地：选择土层深度在30cm以上，地势平缓的烟地；\n[0046] （2）整地：起垄前深耕，耕层深度在15cm以上，耕毕后耙均，清除烟地杂物；\n[0047] （3）起垄：按垄底（A）210cm开厢起梯形宽垄，土烟垄高（C）20±3cm，田烟垄高（C）\n25±3cm，垄面略呈弧形，保证不集雨；\n[0048] （4）施基肥：在地垄1的肩部，距地垄中心线45cm处开深15-20cm施肥沟2，按常规烤烟条施底肥用量；\n[0049] （5）覆膜：用宽度90cm，厚度0.008cm的地膜3覆盖于垄面中心位置，膜边沿落入条施基肥的施肥沟2上，在施肥沟2上覆土且将地膜3的边沿盖实压紧；\n[0050] （6）栽烟：在距离垄中心线50cm的地垄上打井窖式移栽孔4，井窖式移栽孔4的孔口直径8cm，按发明专利名称为“烤烟地膜井窖式小苗移栽方法”专利申请号 \n201110203197.5”栽植烟苗，株距按常规烤烟生产执行；\n[0051] （7）揭膜：在烤烟采收结束时，揭开地膜3，保持地膜完整性，便于来年再用；\n[0052] （8）其它：其它管理按常规烤烟种植方式管理。