三进制电存储材料及其制备和应用

发明专利有效专利

申请号：
CN201310497319.5
IPC分类号：C07D401/12;C08F293/00;C08F220/36;C08F220/34;H01L51/00
申请日期：
2013-10-21
申请人：
苏州大学

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著录项信息

专利名称	三进制电存储材料及其制备和应用
申请号	CN201310497319.5	申请日期	2013-10-21
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2014-01-08	公开/公告号	CN103497176A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C07D401/12 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C0 化学 C07 有机化学〔2〕 C07D 杂环化合物（高分子化合物入C08）〔2〕 C07D401/00 杂环化合物，含有两个或更多个杂环，以氮原子作为仅有的杂环原子，至少有1个环是仅含有1个氮原子的六元环〔2〕 C07D401/02 含有两个杂环〔2〕 C07D401/12 被含有杂原子的链作为键链连接的〔2〕	IPC分类号	C;0;7;D;4;0;1;/;1;2;;;C;0;8;F;2;9;3;/;0;0;;;C;0;8;F;2;2;0;/;3;6;;;C;0;8;F;2;2;0;/;3;4;;;H;0;1;L;5;1;/;0;0查看分类表>
申请人	苏州大学	申请人地址	江苏省苏州市工业园区仁爱路199号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	苏州大学	当前权利人	苏州大学
发明人	路建美;李华
代理机构	北京集佳知识产权代理有限公司	代理人	常亮

摘要

本发明公开了一种三进制电存储材料及其制备和应用，其中三进制电存储材料的化学结构通式为：其中，x为5～9；y为1～5；数均分子量为11000～13000，分子量分布为1.4～1.6，R为-Br、或-H、或-NO2、或-N(CH2CH3)2。本发明的三进制电存储材料具有超高电信息存储密度的优越性能，大大提高了材料的信息存储能力。同时，基于上述三进制电存储材料能够制得三进制数据存储器件，该制备方法简单，效率高，制备的三进制数据存储器件稳定性高，在单位密度内的数据存储量将比基于“0”、“1”二进制数据存储呈指数级增长，因此在下一代的超高密度数据存储应用中具有巨大的价值。

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