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一种高介电常数材料在制备介电磁性复合器件中的用途

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201210011155.6
  • IPC分类号:C04B35/468;C04B35/622
  • 申请日期:
    2012-01-13
  • 申请人:
    深圳顺络电子股份有限公司
著录项信息
专利名称一种高介电常数材料在制备介电磁性复合器件中的用途
申请号CN201210011155.6申请日期2012-01-13
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2012-07-18公开/公告号CN102584216A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C04B35/468IPC分类号C;0;4;B;3;5;/;4;6;8;;;C;0;4;B;3;5;/;6;2;2查看分类表>
申请人深圳顺络电子股份有限公司申请人地址
广东省深圳市宝安区观光路观澜大富苑顺络工业园 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人深圳顺络电子股份有限公司当前权利人深圳顺络电子股份有限公司
发明人石吉伟;伍隽;庞新锋
代理机构深圳市中知专利商标代理有限公司代理人张皋翔
摘要
一种高介电常数低温共烧陶瓷材料,其特征在于,包括BaTiO3和助烧剂,所述BaTiO3重量百分比为80.0~95.0%;所述助烧剂包括:重量百分比为0.1~10.0%的Bi2O3;重量百分比为0.1~5.0%的CuO;重量百分比为0.1~8.0%的低熔点玻璃,其组分还包括重量百分比为0.1~1.0%的MnCO3,本发明还提供了所述高介电常数低温共烧陶瓷材料的制备方法。本发明的高介电常数低温共烧陶瓷材料可用于制作埋置超大电容的滤波器;有助于整合不同特性的功能材料;同时因其具有良好的介温特性,较低的介质损耗,并具有良好的绝缘特性,可望用于开发新型复合器件和功能模块。

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