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双直流等离子体化学气相沉积装置

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN90105087.3
  • IPC分类号:--
  • 申请日期:
    1990-04-07
  • 申请人:
    李孟春;赵乃石
著录项信息
专利名称双直流等离子体化学气相沉积装置
申请号CN90105087.3申请日期1990-04-07
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日1991-10-23公开/公告号CN1055565
优先权暂无优先权号暂无
主分类号暂无IPC分类号暂无查看分类表>
申请人李孟春;赵乃石申请人地址
辽宁省沈阳市大东区莲花街北里一号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人李孟春,赵乃石当前权利人李孟春,赵乃石
发明人李孟春;赵乃石;赵小军;王京国
代理机构沈阳市专利事务所代理人于菲
摘要
本发明为一种双直流等离子体化学气相沉积装置,在现有直流等离子体化学气相沉积的基础上,增设一套对工件加热的电极,使镀膜时,工件的温度参数摆脱了其它参数的限制,实现了各参数的独立控制,从而使不同形状、不同体积的工件均能得到均匀的加热温度,避免了膜层脱落,污染和出现针孔等现象,使膜层的性能得到改善,同时使工作电压能够始终保持在辉光放电阶段,不会由于产生弧光而使膜层形成熔斑,镀膜参数的调整和确定也得到简化。

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