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用磁控溅射法生产CdS/CdTe太阳能电池的方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN200910164226.4
  • IPC分类号:H01L31/18;C23C14/35
  • 申请日期:
    2009-08-21
  • 申请人:
    四川阿波罗太阳能科技有限责任公司
著录项信息
专利名称用磁控溅射法生产CdS/CdTe太阳能电池的方法
申请号CN200910164226.4申请日期2009-08-21
法律状态暂无申报国家中国
公开/公告日2010-02-03公开/公告号CN101640234
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L31/18IPC分类号H;0;1;L;3;1;/;1;8;;;C;2;3;C;1;4;/;3;5查看分类表>
申请人四川阿波罗太阳能科技有限责任公司申请人地址
四川省成都市双流县西南航空港经济开发区腾飞三路485号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人成都中建材光电材料有限公司当前权利人成都中建材光电材料有限公司
发明人彭寿
代理机构成都科海专利事务有限责任公司代理人邓继轩
摘要
本发明公开了一种用磁控溅射法生产CdS/CdTe太阳能电池的方法,其特点是该方法包括CdS/CdTe膜的形成,CdCl2热处理和背电极的制作三部分,通过对电压、电源、气压和距离控制,控制膜的质量,使用磁控溅射法将CdS、CdTe、CdCl2、ZnTe:Cu和Ni分别依次镀在清洁并光刻完成的导电玻璃工件上,构成完整电池。经性能测试:小面积0.05cm2,短路电流27mA/cm2,开路电压0.82V/每个单电池,填充因子72%,转换效率14.2%;大面积2000cm2(20×100cm),短路电流21mA/cm2,开路电压0.63V/每个单电池,填充因子66%,转换效率8%。

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