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发光元件、发光设备、照明设备和电子器具

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200780007322.7
  • IPC分类号:H05B33/14;C09K11/00;C09K11/54;C09K11/56;C09K11/59;C09K11/62;C09K11/64;C09K11/78;C09K11/84;C09K11/88;H01L51/50
  • 申请日期:
    2007-02-22
  • 申请人:
    株式会社半导体能源研究所
著录项信息
专利名称发光元件、发光设备、照明设备和电子器具
申请号CN200780007322.7申请日期2007-02-22
法律状态撤回申报国家中国
公开/公告日2009-03-25公开/公告号CN101395966
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H05B33/14IPC分类号H;0;5;B;3;3;/;1;4;;;C;0;9;K;1;1;/;0;0;;;C;0;9;K;1;1;/;5;4;;;C;0;9;K;1;1;/;5;6;;;C;0;9;K;1;1;/;5;9;;;C;0;9;K;1;1;/;6;2;;;C;0;9;K;1;1;/;6;4;;;C;0;9;K;1;1;/;7;8;;;C;0;9;K;1;1;/;8;4;;;C;0;9;K;1;1;/;8;8;;;H;0;1;L;5;1;/;5;0查看分类表>
申请人株式会社半导体能源研究所申请人地址
日本神奈川县 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人株式会社半导体能源研究所当前权利人株式会社半导体能源研究所
发明人大原宏树;坂田淳一郎;中村康男
代理机构上海专利商标事务所有限公司代理人项丹
摘要
发光层包含:发光基材,它包括硫族化合物;以及发光中心,它包括两种卤族化合物。硫族化合物包含硫族元素以及选自周期表第2到13族的元素,并且卤族化合物包含卤族元素以及选自典型的金属元素、过渡金属元素或稀土元素中的元素。

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