半导体结构及其形成方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202010327504.X
IPC分类号：H01L27/092;H01L21/8238;H01L27/11
申请日期：
2020-04-23
申请人：
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	半导体结构及其形成方法
申请号	CN202010327504.X	申请日期	2020-04-23
法律状态	公开	申报国家	暂无
公开/公告日	2021-10-26	公开/公告号	CN113555361A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L27/092 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L27/00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件（其零部件入H01L 23/00，H01L 29/00至H01L 51/00；由多个单个固态器件组成的组装件入H01L 25/00）〔2，8〕 H01L27/02 包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的〔2〕 H01L27/04 其衬底为半导体的〔2〕 H01L27/08 只包括有一种半导体组件的〔2〕 H01L27/085 只包含场效应的组件〔5〕 H01L27/088 有绝缘栅场效应晶体管的组件〔5〕 H01L27/092 互补MIS场效应晶体管〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;7;/;0;9;2;;;H;0;1;L;2;1;/;8;2;3;8;;;H;0;1;L;2;7;/;1;1查看分类表>
申请人	中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司	申请人地址	上海市浦东新区张江路18号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司	当前权利人	中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
发明人	王楠
代理机构	北京集佳知识产权代理有限公司	代理人	徐文欣

摘要

一种半导体结构及其形成方法，包括：提供基底；在所述基底上形成多个平行排布的上拉鳍部；在所述基底上形成一个或多个辅助鳍部，所述辅助鳍部和所述上拉鳍部的延伸方向相同；在所述上拉鳍部内形成上拉源漏掺杂层；在所述辅助鳍部内形成辅助源漏掺杂层。通过在所述基底上形成一个或多个所述辅助鳍部，以此提升所述基底上的器件密度，在后续形成所述上拉源漏掺杂层时，降低上拉源漏掺杂层的形成空间，使得形成的所述上拉源漏掺杂层的体积减小，进而使得所述上拉源漏掺杂层与其他区域的源漏掺杂层的体积与性能趋于一致，同时也避免相邻的上拉源漏掺杂层形成短接，提升形成的半导体结构的电学性能。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供