一种利用腐蚀方法及微观检测确定单晶硅晶线的方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201810901846.0
IPC分类号：G01N21/95
申请日期：
2018-08-09
申请人：
宁夏中晶半导体材料有限公司

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专利名称	一种利用腐蚀方法及微观检测确定单晶硅晶线的方法
申请号	CN201810901846.0	申请日期	2018-08-09
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2019-01-25	公开/公告号	CN109270082A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01N21/95 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01N （除免疫测定法以外包括酶或微生物的测量或试验入C12M，C12Q） G01N21/00 利用光学手段，即利用红外光、可见光；或紫外光来测试或分析材料（G01N 3/00至G01N 19/00优先） G01N21/84 专用于特殊应用的系统〔3〕 G01N21/88 测试瑕疵、缺陷或污点的存在〔3〕 G01N21/95 特征在于待测物品的材料或形状（G01N 21/89至G01N 21/91，G01N 21/94优先）〔7〕	IPC分类号	G;0;1;N;2;1;/;9;5查看分类表>
申请人	宁夏中晶半导体材料有限公司	申请人地址	宁夏回族自治区中卫市中宁县新堡镇团结南路变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	宁夏中晶半导体材料有限公司	当前权利人	宁夏中晶半导体材料有限公司
发明人	沙彦文;董长海;柯小龙;周小渊;郝艳玲;陈锋;苏波
代理机构	银川长征知识产权代理事务所	代理人	马长增;姚源

摘要

一种利用腐蚀方法及微观检测确定单晶硅晶线的方法,通过可控的腐蚀过程，利用特定腐蚀液择优腐蚀样片，使得单晶表面出现凹坑，腐蚀出特定的微缺陷形态；然后通过显微镜检测样片，确定单晶样片的特定微观缺陷形态，根据单晶样片的缺陷形态确定和标记对应的宏观晶线位置。有益效果在于：工艺过程简单，用时短，操作过程要求低；单晶硅样片缺陷形态准确度高，确定的晶线误差小；无需其他大型高端设备，实施成本低；单晶硅样片的引用，不会对原单晶硅棒产生破坏，适合大规模生产需求。

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该专利没有引用任何外部专利数据！

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