三元系弛豫型压电单晶材料及其生长方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201310178564.X
IPC分类号：C30B29/32;C30B11/00;C30B11/14
申请日期：
2013-05-14
申请人：
中国科学院上海硅酸盐研究所

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专利名称	三元系弛豫型压电单晶材料及其生长方法
申请号	CN201310178564.X	申请日期	2013-05-14
法律状态	授权	申报国家	暂无
公开/公告日	2014-11-19	公开/公告号	CN104153000A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B29/32 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B29/00 以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料〔3，5〕 C30B29/10 无机化合物或组合物〔3〕 C30B29/16 氧化物〔3〕 C30B29/22 复合氧化物〔3〕 C30B29/32 钛酸盐；锗酸盐；钼酸盐；钨酸盐〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;2;9;/;3;2;;;C;3;0;B;1;1;/;0;0;;;C;3;0;B;1;1;/;1;4查看分类表>
申请人	中国科学院上海硅酸盐研究所	申请人地址	上海市长宁区定西路1295号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院上海硅酸盐研究所	当前权利人	中国科学院上海硅酸盐研究所
发明人	刘锦峰;许桂生;杨丹凤;刘莹
代理机构	上海唯源专利代理有限公司	代理人	刘秋兰

摘要

本发明公开了一种三元系弛豫型压电单晶材料及其生长方法，其化学式为xPb(Mg1/3Nb2/3)O3?yBiAlO3?(1?x?y)PbTiO3，其中0﹤x﹤1，0﹤y﹤1，且x+y﹤1。生长方法为：步骤A)称取Bi2O3、MgO、Nb2O5、TiO2和Al2O3，在高温下预烧；步骤B)再与铅的氧化物混合并压块；步骤C)装入坩埚中并在500～1250℃下保温3～20h，继续升高温度至1340～1410℃，保温3～20h，使起始料熔化，以0.1～1.2mm/h速度下降逐渐结晶，界面温度梯度为20～100℃/cm；步骤D)生长完毕，以10～300℃/h速度冷却到室温。本发明的方法可根据需要生长不同取向、不同形状和不同尺寸的压电晶体，具有工艺设备简单、操作方便、一炉多产等优点，适合于工业规模化晶体的生长或生产。

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