非易失性内存的可靠性测试方法与电路

发明专利无效专利

申请号：
CN01130670.X
IPC分类号：--
申请日期：
2001-08-17
申请人：
旺宏电子股份有限公司

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著录项信息

专利名称	非易失性内存的可靠性测试方法与电路
申请号	CN01130670.X	申请日期	2001-08-17
法律状态	权利终止	申报国家	暂无
公开/公告日	2003-03-26	公开/公告号	CN1405781
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	旺宏电子股份有限公司	申请人地址	台湾省新竹科学工业园区力行路16号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	旺宏电子股份有限公司	当前权利人	旺宏电子股份有限公司
发明人	蔡文哲;邹年凯;黄兰婷;汪大晖
代理机构	北京集佳知识产权代理有限公司	代理人	王学强

摘要

本发明涉及一种非易失性内存的可靠性测试方法，包括：决定一栅极电压与读取电流衰减率的关系曲线；预估该一实际栅极电压与对应该栅极电压的一读取电流衰减率；从该关系曲线，求得对应该实际栅极电压的一加速测试栅极电压与一测试时间；以该加速测试栅极电压，连续在该测试时间内进行测试；以及测量对应该加速测试栅极电压的一读取电流，并判断该加速测试栅极电压下，该内存是否仍有效，以完成此非易失性内存的可靠性测试。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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