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一种悬浮式石墨烯薄膜结构的制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202010382893.6
  • IPC分类号:C01B32/194;H01L21/04;H01L21/027;G01L9/00;G01L1/00
  • 申请日期:
    2020-05-08
  • 申请人:
    西安交通大学
著录项信息
专利名称一种悬浮式石墨烯薄膜结构的制备方法
申请号CN202010382893.6申请日期2020-05-08
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2020-07-17公开/公告号CN111422861A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C01B32/194IPC分类号C;0;1;B;3;2;/;1;9;4;;;H;0;1;L;2;1;/;0;4;;;H;0;1;L;2;1;/;0;2;7;;;G;0;1;L;9;/;0;0;;;G;0;1;L;1;/;0;0查看分类表>
申请人西安交通大学申请人地址
陕西省西安市咸宁西路28号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人西安交通大学当前权利人西安交通大学
发明人赵立波;李真;李支康;李磊;罗运运;杨萍;卢德江;王永录;王久洪;蒋庄德
代理机构西安通大专利代理有限责任公司代理人孟大帅
摘要
本发明公开了一种悬浮式石墨烯薄膜结构的制备方法,包括以下步骤:步骤1,在铜基石墨烯薄膜表面涂PMMA,获得铜基/石墨烯/PMMA结构;步骤2,将步骤1获得的铜基/石墨烯/PMMA结构置入铜腐蚀液中,刻蚀去掉铜基底,获得PMMA/石墨烯结构;步骤3,将步骤2获得的PMMA/石墨烯结构转移到硅基空腔结构上,获得PMMA/石墨烯/硅结构;步骤4,在步骤3获得的PMMA/石墨烯/硅结构的PMMA表面旋涂光刻胶,光刻显影,氧等离子体图形化石墨烯结构,用丙酮去除光刻胶,获得悬浮式石墨烯薄膜结构。本发明能够低悬浮式石墨烯的加工制作难度,保证悬浮式石墨烯薄膜结构的覆盖完整性,成功率较高。

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