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具有沟道方向中的应力修改和电容减少特征部件的晶体管结构及其方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200580027628.X
  • IPC分类号:H01L29/76;H01L31/119;H01L29/94
  • 申请日期:
    2005-07-15
  • 申请人:
    飞思卡尔半导体公司
著录项信息
专利名称具有沟道方向中的应力修改和电容减少特征部件的晶体管结构及其方法
申请号CN200580027628.X申请日期2005-07-15
法律状态撤回申报国家暂无
公开/公告日2007-07-25公开/公告号CN101006587
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/76
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;7;6;;;H;0;1;L;3;1;/;1;1;9;;;H;0;1;L;2;9;/;9;4查看分类表>
申请人飞思卡尔半导体公司申请人地址
美国得克萨斯 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人飞思卡尔半导体公司当前权利人飞思卡尔半导体公司
发明人陈建;迈克尔·A·门迪奇诺;万司·H·亚当斯;叶祖飞;文卡塔·R·科拉甘塔
代理机构中原信达知识产权代理有限责任公司代理人穆德骏;黄启行
摘要
一种晶体管(40)包括具有外围的有源区,该外围具有相反的侧面;以及位于有源区中的源极(44)和漏极(42)。栅极(46)覆盖有源区的沟道区域,该沟道区域分隔源极(44)和漏极(42)。该晶体管(40)进一步包括至少一个应力修改特征部件(54),其自源极侧面或者漏极侧面中的至少一个侧面处的有源区的边缘向沟道区域延伸,但是并不进入沟道区域。该至少一个应力修改特征部件(54)包括电介质。

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