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半导体存储装置

发明专利有效专利

申请号：
CN201410315946.7
IPC分类号：G11C11/4074;G11C11/4091;G11C11/413
申请日期：
2014-07-03
申请人：
爱思开海力士有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	半导体存储装置
申请号	CN201410315946.7	申请日期	2014-07-03
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2015-06-24	公开/公告号	CN104733038A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G11C11/4074 ? IPC结构图谱： G 物理 G9 G部其他 G11 信息存储 G11C 静态存储器（基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储入G11B；半导体存储器件入H01L，例如一般脉冲技术入H03K，例如，电子开关入H03K17/00） G11C11/00 以使用特殊的电或磁存储元件为特征而区分的数字存储器；为此所用的存储元件（G11C 14/00至G11C 21/00优先）〔5〕 G11C11/21 应用电元件的〔2〕 G11C11/34 应用半导体器件的〔2〕 G11C11/40 应用晶体管的〔2〕 G11C11/401 形成需要刷新或电荷再生的单元的，即，动态单元的〔5〕 G11C11/4063 辅助电路，例如，用于寻址、译码、驱动、写、读出或定时的〔7〕 G11C11/407 用于场效应型存储单元的〔5〕 G11C11/4074 电源或电压发生电路，例如，偏置电压发生器、衬底片电压发生器、后备电源、电源控制电路〔7〕	IPC分类号	G;1;1;C;1;1;/;4;0;7;4;;;G;1;1;C;1;1;/;4;0;9;1;;;G;1;1;C;1;1;/;4;1;3查看分类表>
申请人	爱思开海力士有限公司	申请人地址	韩国京畿道变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	爱思开海力士有限公司	当前权利人	爱思开海力士有限公司
发明人	尹正赫;卓静美
代理机构	北京弘权知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	俞波;许伟群

摘要

一种半导体存储装置可以包括：编程电压发生块，被配置成响应于编程代码而产生编程电压；预充电电压发生块，被配置成响应于编程代码和地址而产生预充电电压；以及主位线，被配置成被施加有编程电压和预充电电压。

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