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一种制备具有良好韧性碳纳米薄膜的方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201810419638.7
  • IPC分类号:C01B32/15
  • 申请日期:
    2018-05-04
  • 申请人:
    中国地质大学(武汉)
著录项信息
专利名称一种制备具有良好韧性碳纳米薄膜的方法
申请号CN201810419638.7申请日期2018-05-04
法律状态驳回申报国家中国
公开/公告日2018-10-02公开/公告号CN108609608A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C01B32/15IPC分类号C;0;1;B;3;2;/;1;5查看分类表>
申请人中国地质大学(武汉)申请人地址
湖北省武汉市洪山区鲁磨路388号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中国地质大学(武汉)当前权利人中国地质大学(武汉)
发明人王静;周成冈;韩波;吴金平
代理机构武汉知产时代知识产权代理有限公司代理人郝明琴
摘要
本发明公开了一种制备具有良好韧性碳纳米薄膜的方法,包括对碳管进行预处理;加入Co2+溶液和加入PMS溶液对碳管进行活化处理;将活化的碳管和磺化石墨烯配制成悬浮溶液;用表面活性剂浸泡滤膜;滤膜放置漏斗中,对悬浮液进行抽滤;抽滤结束后,在空气干燥,将滤膜撕下,即得到具有良好韧性碳纳米薄膜。本发明制备的碳纳米薄膜具有优良的电化学性能,可广泛应用于电池体系;本发明采用简单的抽滤方法得到韧性很好碳纳米薄膜,操作简单,膜厚度可以控制在合适的范围内,且韧性较好,可以用于柔性材料的制备。

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