一种低介电损耗压电陶瓷材料及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN200410089073.9
IPC分类号：C04B35/49;C04B35/491;C04B35/622
申请日期：
2004-12-03
申请人：
中国科学院上海硅酸盐研究所

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专利名称	一种低介电损耗压电陶瓷材料及其制备方法
申请号	CN200410089073.9	申请日期	2004-12-03
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2006-06-07	公开/公告号	CN1781874
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C04B35/49 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C0 化学 C04 水泥；混凝土；人造石；陶瓷；耐火材料〔4〕 C04B 石灰；氧化镁；矿渣；水泥；其组合物，例如：砂浆、混凝土或类似的建筑材料；人造石；陶瓷（微晶玻璃陶瓷入C03C 10/00）；耐火材料（难熔金属的合金入C22C）；天然石的处理〔4〕 C04B35/00 以成分为特征的陶瓷成型制品；陶瓷组合物（含有不用作宏观增强剂的，粘接在碳化物、金刚石、氧化物、硼化物、氮化物、硅化物上的游离金属，例如陶瓷或其他金属化合物，例如氧氮化合物或硫化物的入C22C）；准备制造陶瓷制品的无机化合物的加工粉末〔4〕 C04B35/01 以氧化物为基料的〔6〕 C04B35/48 以氧化锆或氧化铪或锆酸盐或铪酸盐为基料的〔6〕 C04B35/49 也含氧化钛或钛酸盐的〔3，6〕	IPC分类号	C;0;4;B;3;5;/;4;9;;;C;0;4;B;3;5;/;4;9;1;;;C;0;4;B;3;5;/;6;2;2查看分类表>
申请人	中国科学院上海硅酸盐研究所	申请人地址	变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院上海硅酸盐研究所,上海硅酸盐研究所中试基地	当前权利人	中国科学院上海硅酸盐研究所,上海硅酸盐研究所中试基地
发明人	李玉臣;姚烈;董显林
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

一种低介电损耗压电陶瓷材料及其制备方法，属于压电陶瓷领域。其特征在于材料的组成为Pb1-xMex(ZryTi1-y)O3+zmol%添加物，x＝0.0～0.10，Me＝Sr或Ba或Sr和Ba的组合物；y＝0.50～0.54；z＝0.01～2，添加物为MnO2、CaFeO3、BiFeO3和Li2O中的一种或几种复合。本发明采用常规固相反应方法，获得了一种介电损耗tgδ＝0.10%(小信号下测)，tgδ＝0.54%(400v/mm强场下测)，机械品质因数Qm＞1900，压电常数d33＝220pC/N的大功率压电陶瓷材料。利用这种材料制得的陶瓷元件，组装成各种压电换能器，可以在压电马达、压电驱动器、压电式振动给料器、各类压电变压器、大功率超声焊接和超声清洗等方面获得广泛应用。

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