一种获得对称图形的光刻方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202211166299.9
IPC分类号：G03F9/00
申请日期：
2022-09-23
申请人：
武汉光谷量子技术有限公司

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著录项信息

专利名称	一种获得对称图形的光刻方法
申请号	CN202211166299.9	申请日期	2022-09-23
法律状态	公开	申报国家	中国
公开/公告日	2022-10-25	公开/公告号	CN115236955A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G03F9/00 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术〔4〕 G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备（照相排版装置入B41B；为摄影用的感光材料或处理入G03C；电记录、感光层或处理入G03G） G03F9/00 原版、蒙片、片框、照片、图纹表面的对准或定位，例如自动地（G03F 7/22优先；照相蒙片的制备入G03F 1/00；在复制用的照相印片设备中的入G03B 27/00）〔4〕	IPC分类号	G;0;3;F;9;/;0;0查看分类表>
申请人	武汉光谷量子技术有限公司	申请人地址	湖北省武汉市东湖新技术开发区科技三路99号武汉光谷·激光科技园1#新型厂房12层变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	武汉光谷量子技术有限公司	当前权利人	武汉光谷量子技术有限公司
发明人	胡勤伟;彭博士
代理机构	武汉智权专利代理事务所（特殊普通合伙）	代理人	余浩

摘要

本申请涉及一种获得对称图形的光刻方法，在基片边缘做对齐标记线；在光刻版上确定出目标图形所在区域，并在光刻版上其余区域覆盖遮蔽层，以在遮蔽层与目标图形所在区域之间形成边界，并使边界与光刻版的第二基准线平行；基于对齐标记线、边界、第二基准线和基片的第一基准线，调整基片相对于覆盖有遮蔽层的光刻版的位置，以对齐；进行第一次曝光，以使目标图形刻于基片上；将覆盖有遮蔽层的光刻版旋转180°，并再次调整基片相对于光刻版的位置，以对齐；进行第二次曝光，以使目标图形刻于基片上。本申请能够利用已有的非对称光刻版在待曝光基片上形成对称的图形，充分利用基片空间，简单易行，省时省力，降低费用，保证光刻精度。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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该专利没有被任何外部专利所引用！

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