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绝缘栅场效应晶体管

发明专利无效专利

申请号：
CN97113531.2
IPC分类号：--
申请日期：
1997-06-27
申请人：
国际商业机器公司;西门子公司

基础信息

权利要求

说明书

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	绝缘栅场效应晶体管
申请号	CN97113531.2	申请日期	1997-06-27
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	1998-03-04	公开/公告号	CN1175094
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	国际商业机器公司;西门子公司	申请人地址	美国纽约变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	国际商业机器公司,西门子公司	当前权利人	国际商业机器公司,西门子公司
发明人	曼弗雷德·豪夫;马克思·Ｇ·莱维;维克托·Ｒ·纳斯塔西
代理机构	中国国际贸易促进委员会专利商标事务所	代理人	范本国

摘要

两侧各被一个沟槽隔离的FET，在隔离沟槽中沿着FET的至少一侧有一电介质。电介质层可以是一层ONO，中间扩散了氧化催化剂。氧化催化剂可以是钾。FET沿着贴近ONO层侧的栅氧化层比两侧之间的栅氧化层厚。

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