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一种选择性发射极晶体硅太阳电池的制备方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200910038909.5
  • IPC分类号:H01L31/18
  • 申请日期:
    2009-04-23
  • 申请人:
    中山大学
著录项信息
专利名称一种选择性发射极晶体硅太阳电池的制备方法
申请号CN200910038909.5申请日期2009-04-23
法律状态撤回申报国家中国
公开/公告日2009-09-16公开/公告号CN101533874
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L31/18IPC分类号H;0;1;L;3;1;/;1;8查看分类表>
申请人中山大学申请人地址
广东省广州市新港西路135号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中山大学当前权利人中山大学
发明人梁宗存;沈辉;曾飞;陈达明
代理机构广州知友专利商标代理有限公司代理人李海波
摘要
本发明公开了一种选择性发射极晶体硅太阳电池的制备方法,采用单步扩散法对p型硅片进行重掺杂,在重掺杂硅片前电极区域处丝网印刷上高分子聚合物材料作为耐腐蚀阻挡层,其余非电极区域经过化学腐蚀变为轻掺杂的发射极,除去耐腐蚀阻挡层后即制备得选择性发射极结构,最后采用太阳电池常规制备方法即制备得选择性发射极晶体硅太阳电池。该工艺步骤相对简单、且容易实现规模化生产,能够在不增加制作成本的情况下通过发射极结构提高电池的转换效率。

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