半导体基板和电极的形成方法以及太阳能电池的制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN200780028838.X
IPC分类号：H01L31/04;H01L31/0224;H01L21/28;H01L21/288
申请日期：
2007-07-12
申请人：
信越半导体股份有限公司;信越化学工业株式会社

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著录项信息

专利名称	半导体基板和电极的形成方法以及太阳能电池的制造方法
申请号	CN200780028838.X	申请日期	2007-07-12
法律状态	授权	申报国家	暂无
公开/公告日	2009-08-12	公开/公告号	CN101506992
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L31/04 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L31/00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；其零部件（H01L 51/42优先；由形成在一共用衬底内或其上的多个固态组件，而不是辐射敏感元件与一个或多个电光源的结合所组成的器件入H01L 27/00）〔2，6，8〕 H01L31/04 用作光伏〔PV〕转换器件（制造中其测试入H01L21/66；制造之后其测试入H02S50/10）的〔2，2014.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;1;/;0;4;;;H;0;1;L;3;1;/;0;2;2;4;;;H;0;1;L;2;1;/;2;8;;;H;0;1;L;2;1;/;2;8;8查看分类表>
申请人	信越半导体股份有限公司;信越化学工业株式会社	申请人地址	日本东京都变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	信越半导体股份有限公司,信越化学工业株式会社	当前权利人	信越半导体股份有限公司,信越化学工业株式会社
发明人	石川直挥;大塚宽之;渡部武纪;生岛聪之;植栗豊敬
代理机构	隆天国际知识产权代理有限公司	代理人	姜燕;陈晨

摘要

一种半导体基板和电极的形成方法以及太阳能电池的制造方法，该半导体基板是至少形成有电极的半导体基板，上述电极是具有二层以上的多层构造，上述多层构造之中，至少与上述半导体基板直接接合的第一电极层是至少含有银与玻璃料，以及含有钛、铋、锆、钒、铌、钽、铬、钼、钨、锰、铁、钴、镍、硅、铝、锗、锡、铅、锌的氧化物中的至少一种来作为添加物；形成于上述第一电极层上的电极层之中，至少与配线接合的最表层的电极层是至少含有银和玻璃料，而未含有上述添加物。借此，于半导体基板上形成一种电极，可减少接触电阻与配线电阻，且具有充分的与半导体基板接着的强度以及通过焊锡而与配线接着的强度。

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