一种适用于集成电路电磁场辐射抗扰试验的系统装置

发明专利有效专利

申请号：
CN202110890675.8
IPC分类号：G01R29/08;G01R31/28
申请日期：
2021-08-04
申请人：
浙江诺益科技有限公司

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著录项信息

专利名称	一种适用于集成电路电磁场辐射抗扰试验的系统装置
申请号	CN202110890675.8	申请日期	2021-08-04
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-09-21	公开/公告号	CN113419115A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01R29/08 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01R 测量电变量；测量磁变量（指示谐振电路的正确调谐入H03J 3/12） G01R29/00 不包括在G01R 19/00至G01R 27/00各组中的电量的测量或指示装置 G01R29/08 电磁场特性的测量	IPC分类号	G;0;1;R;2;9;/;0;8;;;G;0;1;R;3;1;/;2;8查看分类表>
申请人	浙江诺益科技有限公司	申请人地址	浙江省杭州市滨江区长河街道滨安路650号1幢十四层1409室变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	浙江诺益科技有限公司	当前权利人	浙江诺益科技有限公司
发明人	郑益民;崔强;方旭;苏江涛;柳丽芳;陈俊;王逸晨
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

本发明公开了一种适用于集成电路电磁场辐射抗扰试验的系统装置，包括信号终端、射频信号器、信号传输器、功率放大器、待测IC控制模块、特制测试电路装置和直流检测电源，所述信号终端通过远程控制线路与射频信号器双向连接，所述射频信号器与功率放大器通过射频调节组件双向连接。该适用于集成电路电磁场辐射抗扰试验的系统装置是专用与集成电路半导体模块的电磁场辐射抗扰度测试系统，所占用的试验空间相比于大型屏蔽暗室较小，建设成本较低，并且本试验装置除模拟产生常规的电磁场干扰信号，可根据试验要求产生强度极高的电磁场以模拟集成电路在极端恶劣电磁场环境中工作的工况，能全面的测试集成电路的抗电磁场干扰的性能。

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