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含有液体添加剂的形成抗蚀剂下层膜的组合物及下层膜形成方法、半导体装置制造方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN200780031573.9
  • IPC分类号:G03F7/11;H01L21/027
  • 申请日期:
    2007-08-20
  • 申请人:
    日产化学工业株式会社
著录项信息
专利名称含有液体添加剂的形成抗蚀剂下层膜的组合物及下层膜形成方法、半导体装置制造方法
申请号CN200780031573.9申请日期2007-08-20
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2009-08-12公开/公告号CN101506736
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G03F7/11IPC分类号G;0;3;F;7;/;1;1;;;H;0;1;L;2;1;/;0;2;7查看分类表>
申请人日产化学工业株式会社申请人地址
日本东京都 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人日产化学工业株式会社当前权利人日产化学工业株式会社
发明人堀口有亮;新城彻也;竹井敏
代理机构北京市中咨律师事务所代理人段承恩;田欣
摘要
本发明的课题是提供一种光刻用形成抗蚀剂下层膜的组合物,该组合物在半导体装置制造的光刻工艺中使用。作为本发明的解决问题的方法是,提供一种在半导体制造装置的光刻工艺中使用的形成抗蚀剂下层膜的组合物,该组合物含有树脂(A)、液体添加剂(B)和溶剂(C)。该液体添加剂(B)是脂肪族聚醚化合物。该液体添加剂(B)是聚醚多元醇、聚缩水甘油醚或它们的组合。本发明还提供一种半导体装置的制造方法,包括下述工序:将形成抗蚀剂下层膜的组合物涂布在半导体基板上,然后进行烘烤,从而形成抗蚀剂下层膜的工序;在该下层膜上形成光致抗蚀剂层的工序;将被覆有抗蚀剂下层膜和光致抗蚀剂层的半导体基板进行曝光的工序;以及,曝光之后进行显影的工序。

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