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一种具有空气谐振腔的嵌埋封装结构的制造方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202010567865.1
  • IPC分类号:H03H3/08
  • 申请日期:
    2020-06-19
  • 申请人:
    珠海越亚半导体股份有限公司
著录项信息
专利名称一种具有空气谐振腔的嵌埋封装结构的制造方法
申请号CN202010567865.1申请日期2020-06-19
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2020-11-03公开/公告号CN111884613A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H03H3/08IPC分类号H;0;3;H;3;/;0;8查看分类表>
申请人珠海越亚半导体股份有限公司申请人地址
广东省珠海市斗门区珠峰大道北3209号FPC厂房 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人珠海越亚半导体股份有限公司当前权利人珠海越亚半导体股份有限公司
发明人陈先明;冯磊;黄本霞;冯进东;洪业杰
代理机构北京风雅颂专利代理有限公司代理人李翔;鲍胜如
摘要
本发明提供了一种具有空气谐振腔的嵌埋封装结构的制造方法,包括如下步骤:(a)制造第一基板,所述第一基板包括第一绝缘层、嵌入在所述绝缘层中的芯片以及在第一基板的芯片端子面上的布线层,其中在所述布线层上具有暴露出芯片端子面的开口;(b)制造第二基板,所述第二基板包括第二绝缘层;(c)在所述布线层上局部施加第一粘合层,使得暴露出芯片端子面的开口不被覆盖,以及在第二基板上施加第二粘合层;(d)将所述第一基板的第一粘合层和所述第二基板的第二粘合层贴合固化,得到在芯片端子面上形成有空气谐振腔的嵌埋封装结构。

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