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一种用于三维集成工艺的光刻对准方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201710743187.8
IPC分类号：H01L21/68;H01L23/544
申请日期：
2017-08-25
申请人：
上海微阱电子科技有限公司

基础信息

权利要求

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种用于三维集成工艺的光刻对准方法
申请号	CN201710743187.8	申请日期	2017-08-25
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2018-01-26	公开/公告号	CN107634027A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/68 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/67 专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置〔8〕 H01L21/68 用于定位、定向或对准的〔2，8〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;6;8;;;H;0;1;L;2;3;/;5;4;4查看分类表>
申请人	上海微阱电子科技有限公司	申请人地址	上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区芳春路400号1幢3层变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海微阱电子科技有限公司	当前权利人	上海微阱电子科技有限公司
发明人	卢意飞
代理机构	上海天辰知识产权代理事务所（特殊普通合伙）	代理人	陶金龙;张磊

摘要

本发明公开了一种用于三维集成工艺的光刻对准方法，通过在顶层晶圆正面刻蚀形成深入其内部的深沟槽，然后向沟槽中进行介质层填充，形成光刻对准标记，以在完成顶层晶圆背面减薄工艺后，使光刻对准标记得以清楚识别，从而可准确进行晶圆背面工艺的光刻对准；本发明避免了现有顶层晶圆前道工艺对准标记信号微弱且不稳定引起的无法对准及对准精度差的问题，提升了三维集成工艺中光刻对准的精度。

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