硅基汽液相分离式散热芯片及其制备方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200910112478.2
IPC分类号：H01L23/427;H01L23/367;H01L21/48;H01L21/50
申请日期：
2009-09-04
申请人：
厦门大学

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专利名称	硅基汽液相分离式散热芯片及其制备方法
申请号	CN200910112478.2	申请日期	2009-09-04
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2010-03-10	公开/公告号	CN101667561
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/427 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/34 冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置〔2，5〕 H01L23/42 为便于加热或冷却在容器里选择或配置的填料或辅助构件〔2，5〕 H01L23/427 通过物态改变而冷却的，例如使用热管〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;4;2;7;;;H;0;1;L;2;3;/;3;6;7;;;H;0;1;L;2;1;/;4;8;;;H;0;1;L;2;1;/;5;0查看分类表>
申请人	厦门大学	申请人地址	福建省厦门市思明南路422号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	厦门大学	当前权利人	厦门大学
发明人	张玉龙;张保平;罗仲梓;蒋书森;张艳;谷丹丹;张春权;李燕飞
代理机构	厦门南强之路专利事务所	代理人	马应森

摘要

硅基汽液相分离式散热芯片及其制备方法，涉及一种电子元器件的散热芯片。提供一种能够克服以上硅基散热器的缺点，提高硅基散热器散热效能的硅基汽液相分离式散热芯片及其制备方法。散热芯片为上下两层结构，分别为上硅片和下硅片，在上硅片上设有冷却液体加载口、液体汽化室和气体微通道，在下硅片上设有冷却液体储槽和液体微通道。1)加工上硅片正面结构，2)加工上硅片背面结构，3)加工下硅片，4)再将上硅片和下硅片对准键合。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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