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一种多孔碳化硅原料的制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202110766518.6
  • IPC分类号:C04B38/06;C04B35/565;C04B35/622;C04B35/63
  • 申请日期:
    2021-07-07
  • 申请人:
    哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司
著录项信息
专利名称一种多孔碳化硅原料的制备方法
申请号CN202110766518.6申请日期2021-07-07
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2021-08-17公开/公告号CN113264780A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C04B38/06IPC分类号C;0;4;B;3;8;/;0;6;;;C;0;4;B;3;5;/;5;6;5;;;C;0;4;B;3;5;/;6;2;2;;;C;0;4;B;3;5;/;6;3查看分类表>
申请人哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司申请人地址
黑龙江省哈尔滨市松北区智谷二街3043号哈尔滨松北(深圳龙岗)科技创新产业园12栋1-5楼 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司当前权利人哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司
发明人不公告发明人
代理机构哈尔滨市伟晨专利代理事务所(普通合伙)代理人赵君
摘要
一种多孔碳化硅原料的制备方法,它属于多孔碳化硅材料制备技术领域。本发明要解决的技术问题为改善多孔碳化硅原料的孔隙率。本发明称量碳化硅放入球磨罐中,然后放入0.5倍质量的钨钢磨球,进行球磨后的碳化硅用筛子筛分,按照重量份数分别称量25‑30份的筛分后的碳化硅粉料、8‑10份的石墨、3‑5份的水玻璃、45‑55份的去离子水,称量好的筛分后的碳化硅粉料加入去离子水,搅拌后再加入石墨,然后再加入水玻璃,搅拌一定时间后,得到混合浆料注入模具中,然后在室温下进行干燥24‑30h,脱模后得到胚体置于电阻炉中升温至1800℃,保持3‑4h,随后随炉冷却得到一种多孔碳化硅原料。本发明原料孔隙率为45‑55%。

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