介质阻挡放电等离子体发生器的电极制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201010299467.2
IPC分类号：C23C14/04;C23C14/34;H05H1/24
申请日期：
2010-10-08
申请人：
中国航空工业集团公司北京航空制造工程研究所

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专利名称	介质阻挡放电等离子体发生器的电极制造方法
申请号	CN201010299467.2	申请日期	2010-10-08
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2011-01-05	公开/公告号	CN101935820A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C23C14/04 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕 C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆（挤压法制造包覆金属的产品入B21C23/22；通过将预先存在的薄层连接到制品上的方法用金属进行镀覆处理的见各有关位置，例如B21D39/00，B23K；玻璃的金属化入C03C；砂浆、混凝土、人造石、陶瓷或天然石的金属化入C04B41/00；金属的搪瓷或向金属上镀覆玻璃体层入c23D；用电解法或电泳法处理金属表面或镀覆金属入C25D；单晶膜生长入C30B；纺织品的金属化入D06M11/83；用局部金属化法装饰纺织品入D06Q1/04）〔4〕 C23C14/00 通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆〔4，2006.01〕 C23C14/04 局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物〔4〕	IPC分类号	C;2;3;C;1;4;/;0;4;;;C;2;3;C;1;4;/;3;4;;;H;0;5;H;1;/;2;4查看分类表>
申请人	中国航空工业集团公司北京航空制造工程研究所	申请人地址	北京市朝阳区八里桥北变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国航空工业集团公司北京航空制造工程研究所	当前权利人	中国航空工业集团公司北京航空制造工程研究所
发明人	马国佳;马贺;孙刚;王剑锋;武洪臣
代理机构	中国航空专利中心	代理人	梁瑞林

摘要

本发明属于等离子体技术领域，涉及对介质阻挡放电等离子体发生器的电极制造方法的改进。其特征在于，利用离子注入及沉积设备在绝缘介质材料上沉积金属电极，制造的步骤如下：清洗绝缘介质材料；粘贴掩膜胶带；安装离子注入及沉积设备的溅射靶；安装加速栅；离子注入辅助沉积金属电极条薄膜。本发明不仅能够克服手工粘贴电极条方法电极条较厚、发热量大的缺点，改善发生器的放电效果，而且大大提高了电极条与基体材料的结合强度，防止电极条脱落，延长了发生器的使用寿命。

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