存储设备的电容器及其制造方法

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专利名称	存储设备的电容器及其制造方法
申请号	CN200510076258.0	申请日期	2005-05-08
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2005-11-09	公开/公告号	CN1694256
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	三星电子株式会社	申请人地址	韩国京畿道变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	三星电子株式会社	当前权利人	三星电子株式会社
发明人	朴永洙;李正贤;赵重来;具俊谟;金锡必;申尚旻
代理机构	北京市柳沈律师事务所	代理人	陶凤波;侯宇

摘要

提供了一种存储设备的电容器及其制造方法，用于实现高集成度的半导体存储设备并保持优良的疲劳特性。在具有晶体管结构的存储设备的电容器中，电容器包括形成在晶体管结构的掺杂区上的、包括金属电极和金属氧化物电极的下部电极，围绕下部电极的铁电层，和形成在铁电层上的上部电极。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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